高性價(jià)比逆變器MOS：CMH20N50
高性價(jià)比逆變器MOS：CMH20N50
CMH20N50采用Cmos先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）。非常適合于高效的切換模式電源和主動(dòng)功率因數(shù)校正?？捎糜陂_關(guān)電源、UPS電源、DC-DC轉(zhuǎn)化電源，特別適用于逆變器電源，有優(yōu)秀的散熱能力，很好的性價(jià)比。
卓越的電氣特性
CMH20N50的主要電氣特性包括：
耐壓與電流能力：CMH20N50的耐壓（BVDSS）為500V，在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)20A。
抗沖擊能力強(qiáng)：CMH20N50采用Cmos先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)和設(shè)計(jì)，單次雪崩能量為860mJ，使其有很強(qiáng)的抗沖擊能力，能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。
散熱好：CMH20N50采用TO-247封裝，具有良好的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.44℃/W，有很好的散熱能力，能有效地將熱量散發(fā)出去。
導(dǎo)通損耗?。?/span>在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMH20N50的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為0.26Ω。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高了電路的能效，使得在逆變器等電路使用中效率更高。
開關(guān)損耗?。?/span>較小的QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，較小的開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMH20N50 MOS管由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，特別是在逆變器電路中。
在逆變器應(yīng)用中，MOS管的高EAS、低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效，低QG、低結(jié)電容，有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗。CMH20N50 表現(xiàn)出色，能夠很好地滿足電路需求。
