CMP30N10：伺服控制器性價比之選
CMP30N10：伺服控制器性價比之選
隨著工業(yè)4.0時代的到來，工業(yè)自動化技術(shù)將會得到飛速發(fā)展。傳統(tǒng)工業(yè)PLC控制已經(jīng)不能滿足當下工業(yè)發(fā)展的需求，工業(yè)發(fā)展需要更加自由、靈活的控制方式為其提供服務(wù)。在眾多的控制系統(tǒng)中，伺服系統(tǒng)因其投放定位精準、響應(yīng)速度快等特點，迅速得到發(fā)展和普及。
伺服電機（servo motor）作為伺服系統(tǒng)中最核心的機件，其控制速度、位置精度非常準確，可以將電壓信號轉(zhuǎn)化為轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)速以驅(qū)動控制對象。伺服電機轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速受輸入信號控制，并能快速反應(yīng)，在自動控制系統(tǒng)中，用作執(zhí)行元件，且具有機電時間常數(shù)小、線性度高、始動電壓低等特性，可把所收到的電信號轉(zhuǎn)換成電動機軸上的角位移或角速度輸出。所以，響應(yīng)時間快，能耗低是伺服控制網(wǎng)絡(luò)的特點之一。在無人化工業(yè)控制中其性能得到完美展現(xiàn)。
CMP30N10 MOSFET是廣東場效應(yīng)半導體有限公司（Cmos）推出的一款伺服控制領(lǐng)域性價比之高的FET，客戶用在伺服電機驅(qū)動板中，因其超高的性價比和卓越的性能得到認可。
封裝形式
CMP30N10 MOSFET封裝形式及內(nèi)部拓撲結(jié)構(gòu)：
Cmos考慮到用戶使用場景的需要，CMP30N10 MOSFET提供TO-220和TO-263兩種不同的封裝形式可供用戶選擇，以便更好匹配用戶的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。
伺服控制器原理
圖3為伺服電機驅(qū)動控制圖，它由脈沖信號（PWM）發(fā)生控制單元、功率驅(qū)動單元(Gate Driver)、保護單元等組成。MCU相當于控制電機的大腦，它向功率MOSFET發(fā)送電機的步距角時間、轉(zhuǎn)動方向和重復次數(shù)等信號，功率MOSFET根據(jù)MCU發(fā)出的信號，通過OPA模塊放大電壓和電流并將其發(fā)送至電機，從而驅(qū)動電機動作。
電氣特性
耐壓和耐流：
CMP30N10 MOSFET工作時最大額定電壓VDS=100V，柵源電壓VGS=20V，以及連續(xù)漏源電路ID=30A，而最大開啟電壓VGSth=3V，這使得它的驅(qū)動電路將會更簡單，用單片機直接驅(qū)動即可，避免臃腫的驅(qū)動電路設(shè)計。其TO-220背部大散熱片式封裝以及熱阻RJC只有0.97℃/W的設(shè)計，使得CMP30N10在高負載條件下能夠更好地散熱，有效降低了溫升。
理想的動態(tài)參數(shù)
優(yōu)秀的內(nèi)阻值：CMP30N10 MOSFET導通內(nèi)阻值RDS(ON)是變化的。如下圖所示，在MOSFET工作的線性區(qū)，RDS(ON)阻值隨著VGS呈線性變化，具體是如動態(tài)參數(shù)變化圖所示，總體趨勢是RDS(ON)隨著VGS增大而減小，知道MOSFET達到飽和狀態(tài)。由圖可得，當VGS=10V時，MOSFET已經(jīng)達到飽和態(tài)，此時RDS(ON)最理想。
理想的電容參數(shù)：MOSFET的內(nèi)部電容對管子開關(guān)時間的影響是非常大的，所以理解MOSFET自身電容參數(shù)對于匹配MOSFET在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中更好的工作非常有意義。
CISS：輸入功率組件驅(qū)動能力或損失時的參數(shù)，對MOS器件的開啟和關(guān)斷延時有著直接的影響。
COSS：Coss = Cds +Cgd，由此可見Coss非常重要。
CRSS：反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對高頻切換動作最有不良影響，對于開關(guān)的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數(shù)為了提高組件高頻特性，Crss要愈低愈好。CMP30N10 MOSFET CISS、COSS、CRSS三項電容參數(shù)都很理想，這使得它在換相切換電路中表現(xiàn)出更為優(yōu)秀的性能。
以上是對Cmos CMP30N10 MOSFET產(chǎn)品簡要的介紹，具體是以客戶應(yīng)用在伺服控制領(lǐng)域為案例展開介紹。從這顆料自身卓越的電性參數(shù)來講還有更廣闊的應(yīng)用空間，等待各位一起開發(fā)應(yīng)用。如需詳細了解該料參數(shù)，請注冊和登錄廣東場效應(yīng)半導體有限公司官網(wǎng)：m.cdxxjs.com。
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