匠心創(chuàng)造，構(gòu)筑工業(yè)基礎(chǔ)
匠心創(chuàng)造，構(gòu)筑工業(yè)基礎(chǔ)
步進(jìn)電機(jī)的普及使人類挺進(jìn)了機(jī)器時(shí)代，它的發(fā)明使得工業(yè)機(jī)器人能夠幫助人類完成許多高危、枯燥的工作，它的應(yīng)用和普及極大地解放了勞動生產(chǎn)力。正如馬克思在《資本論》里對生產(chǎn)關(guān)系那一段經(jīng)典的論述，認(rèn)為生產(chǎn)力的發(fā)展是推動社會關(guān)系變革的重要因素，同時(shí)，隨著生產(chǎn)力的提高，勞動者產(chǎn)生對更好勞動條件、更公平的勞動分配等要求，這反過來會催生新的生產(chǎn)關(guān)系的產(chǎn)生和演變。這種關(guān)系相互影響、相輔相成使得社會生產(chǎn)水品得到大幅提高，人民生活水品得到極大改善。
步進(jìn)電機(jī)的普及是很成功的發(fā)明和應(yīng)用。它的安全、穩(wěn)定和高效的運(yùn)行離不開內(nèi)部嚴(yán)密的驅(qū)動控制，而優(yōu)秀的PCBA控制板自然離不開高品質(zhì)的半導(dǎo)體元器件。MOS管作為PCBA板上關(guān)鍵性的元器件，它的性價(jià)比在降本增效方面起到很大作用。廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（即Cmos品牌），立足行業(yè)，勇立潮頭，本著解決行業(yè)痛點(diǎn)為己任，開發(fā)出一系列適配于步進(jìn)、伺服驅(qū)動控制半導(dǎo)體器件，投放到市場收到不同凡響的聲音。
CMD50N06T MOSFET是Cmos推出的一款在低壓領(lǐng)域具有超高性價(jià)比的場效應(yīng)管，其部分參數(shù)將在下文做一一解讀。
封裝形式
CMD50N06T MOSFET是一款N溝道場效應(yīng)管，為了匹配客戶不同應(yīng)用環(huán)境 ，生產(chǎn)出貼片和插件兩種封裝形式，其內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：
卓越的電氣特性
漏源電壓是指場效應(yīng)管工作時(shí)的耐壓能力。CMD50N06T其最大工作電壓為60V，是一款低壓MOS管，我們都知道，電壓60V是一個(gè)重要的節(jié)點(diǎn)，像調(diào)速控矩的步進(jìn)電機(jī)控制，電動汽車領(lǐng)域等等很多設(shè)備設(shè)施都可以適用。
漏源電流是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)流過漏極和源極的最大電流，CMD50N06T最大電流達(dá)到50A，具有相對較強(qiáng)的過流能力，能夠滿足大部分應(yīng)用電路的功率需求。
開啟電壓場效應(yīng)管是一種用柵極電壓控制漏極/源極電流的半導(dǎo)體器件，開啟電壓VGS的大小決定了MOS管工作時(shí)功率的輸出情況。CMD50N06TMOSFET最大開啟電壓為3V，在實(shí)際應(yīng)用中要想使MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻更低，VGS要足夠大，建議VGS>10V為最佳。
電容特性：
場效應(yīng)管的物理結(jié)構(gòu)決定了其工作時(shí)的電性特點(diǎn)。作為高達(dá)到數(shù)百KHZ以上的高頻開關(guān)，每一次的開關(guān)都是Cgs電容充放電的過程，而這個(gè)電容的大小直接決定了場效應(yīng)管的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)頻率。步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動控制方案核心是通過調(diào)速達(dá)到控制電機(jī)的速度，這里的“速度”就受到Cgs的影響，所以在選場效應(yīng)管時(shí)盡可能選擇Cgs小的，以避免因?yàn)樵撾娙菀痣娐返膮f(xié)調(diào)性。
CMD50N06T MOSFET 的Ciss，Coss，Crss三個(gè)電容值都相對較小，所以無論是在步進(jìn)驅(qū)動控制上還是高頻次燈光調(diào)控方案上都有不俗表現(xiàn)，內(nèi)阻低，損耗小，散熱性好，表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。
CMD50N06T場效應(yīng)管在很多領(lǐng)域已經(jīng)被廣泛應(yīng)用，整體性能穩(wěn)定，性價(jià)比極高，限于篇幅，本文未深入拓展，淺嘗輒止。如需了解詳細(xì)參數(shù)和索取樣品，請注冊和登錄廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)m.cdxxjs.com自行下載和聯(lián)系客戶經(jīng)行索取，我們竭誠為您服務(wù)。
