行綠色發(fā)展，創(chuàng)工匠品質
行綠色發(fā)展，創(chuàng)工匠品質
一、國家政策
二O二一年十月二十四日，為深入貫徹落實黨中央、國務院關于碳達峰、碳中和的重大戰(zhàn)略決策，扎實推進碳達峰行動，國務院制定并印發(fā)我國《2030年前碳達峰行動方案》。該方案是以習近平新時代中國特色社會主義思想為指導，深入貫徹習近平生態(tài)文明思想，立足新發(fā)展階段，完整、準確、全面貫徹新發(fā)展理念，構建新發(fā)展格局，堅持系統(tǒng)觀念，處理好發(fā)展和減排、整體和局部、短期和中長期的關系，統(tǒng)籌穩(wěn)增長和調(diào)結構，把碳達峰、碳中和納入經(jīng)濟社會發(fā)展全局中來，有力有序有效做好碳達峰工作，明確了各地區(qū)、各領域、各行業(yè)目標任務，加快實現(xiàn)生產(chǎn)生活方式綠色變革，推動經(jīng)濟社會發(fā)展建立在資源高效利用和綠色低碳發(fā)展的基礎之上，確保如期實現(xiàn)2030年前碳達峰目標。
“十四五”期間，我國的主要目標是產(chǎn)業(yè)結構和能源結構調(diào)整優(yōu)化取得明顯進展，重點行業(yè)能源利用效率大幅提升，煤炭消費增長得到嚴格控制，新型電力系統(tǒng)加快構建，綠色低碳技術研發(fā)和推廣應用取得新進展，綠色生產(chǎn)生活方式得到普遍推行，有利于綠色低碳循環(huán)發(fā)展的政策體系進一步完善。
能源是經(jīng)濟社會發(fā)展的重要物質基礎，也是碳排放的最主要來源。要堅持安全降碳，在保障能源安全的前提下，大力實施可再生能源替代，加快構建清潔低碳安全高效的能源體系。加快建設新型電力系統(tǒng)。構建新能源占比逐漸提高的新型電力系統(tǒng)，推動清潔電力資源大范圍優(yōu)化配置。積極發(fā)展“新能源+儲能”、源網(wǎng)荷儲一體化和多能互補，支持分布式新能源合理配置儲能系統(tǒng)。加快新型儲能示范推廣應用。深化電力體制改革，加快構建全國統(tǒng)一電力市場體系。到2025年，新型儲能裝機容量達到3000萬千瓦以上。到2030年，抽水蓄能電站裝機容量達到1.2億千瓦左右，省級電網(wǎng)基本具備5%以上的尖峰負荷響應能力。
二、企業(yè)使命
綠色發(fā)展、可持續(xù)發(fā)展是實現(xiàn)碳達峰的重要理念和關鍵手段。深耕于半導體行業(yè)的制造+應用型公司，廣東場效應半導體有限公司誕生于國產(chǎn)半導體興起的千禧之年，我們致力于做國產(chǎn)優(yōu)質半導體器件，錨定成為中國半導體領軍品牌。我們更是將創(chuàng)新、綠色融合進公司發(fā)展的基因里，歷經(jīng)二十五載，歷久彌新，成為企業(yè)文化、企業(yè)發(fā)展最重要的組成部分。
場效應半導體（下稱Cmos）順應國家大是，深刻分析國家戰(zhàn)略，迅速響應國家號召，堅持創(chuàng)新、共贏的核心價值觀，守正創(chuàng)新，堅持打造綠色半導體產(chǎn)品，規(guī)劃并努力朝著實現(xiàn)綠色產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)發(fā)展。
Cmos作為國產(chǎn)半導體知名企業(yè)，立足當下，綜合國內(nèi)國際大環(huán)境，深入剖析行業(yè)現(xiàn)狀，勇于把握發(fā)展錨頭，提前入局并更新產(chǎn)品線，確立以DFN與TOLL這類封裝分離器和Dr+MOSFET的小型集成性器件是未來市場剛需。 在當下這個瞬息萬變的時代，朝夕之間，同一個產(chǎn)品即可完成更新迭代，唯有如此，才能定義市場，而不是被市場所定義。我們秉持誠信、務實的態(tài)度，深度開發(fā)應用市場，堅持品質至上，堅持為客戶尋求最大價值，屢戰(zhàn)屢勝，并在包括PLC工業(yè)控制，醫(yī)療器械，汽車ECU，無人飛機，智能家電領域獲得廣泛認可。
Cmos主要業(yè)務涉及整個半導體產(chǎn)品后道工藝鏈，面對這個重投資壟斷性高的鏈條模塊，我們一開始就確立創(chuàng)新是企業(yè)發(fā)展之靈魂。所以，時至今日，Cmos在分離半導體器件制造的包括平面工藝，溝槽工藝，SGT（Shielded Gate Transistor）工藝，SJ(Super Juncation)工藝方面具有多項專利，從向優(yōu)秀的企業(yè)學習成長為自主定義市場，Cmos人不忘初心，砥礪前行實現(xiàn)這一步的跨越。
三、產(chǎn)品舉例
CMSA010N04是Cmos自己研發(fā)的柵極多層分割槽工藝制造的一款分離半導體器件。先進的封裝和制造工藝為器件提供了一個極低的導通內(nèi)阻RDSON，在實際電路應用中明顯提高電能轉換效率。新一代增強型的體二極管工藝專為快速恢復應用環(huán)境而設計。理想的RSP特性和參數(shù)一致性，使該分離器件在組合結構應用電路中表現(xiàn)出出色的魯棒性。
封裝形式
基礎參數(shù)
核心優(yōu)勢
CMSA010N04是一款低壓MOSFET,擊穿電壓BVDSS=40V，采用Cmos成熟的優(yōu)化溝槽工藝制造。常溫條件下，源漏持續(xù)電流可達200A，具有很強的帶載能力。
CMSA010N04采用全新的通用的DFN5X6封裝形式，具有集成性高，且熱管理能力出色的特點。這種輕薄封裝為PCBA實現(xiàn)高集成度提供了材料基礎的同時使得擁有功能多樣性且穩(wěn)定性高的設備實現(xiàn)量產(chǎn)。
在常溫環(huán)境中，CMSA010N04的飽和導通內(nèi)阻RDSON不超過1毫歐，低阻值高能效比，在DC/DC BUCK-BOOST轉換電路具有很高的適配性。控制鍵合工藝使得CMSA010N04具有較高的輸入寄身電容，使其在超高頻率的同步整流模塊中對高尖峰表現(xiàn)出理想的抑制作用。
試驗電路：電路為三相同步電機控制電路，負載為電動機。在非額定狀態(tài)如啟動狀態(tài)，失速狀態(tài)甚至在增加負載過程中會產(chǎn)生較高的尖峰電動勢，如果電路沒有做周全的尖峰抑制考慮（該電路沒有做功率開關管尖峰抑制電路），將會在開關節(jié)點產(chǎn)生高頻振蕩。過高的振蕩會增加損耗、加重EMI干擾，POL負電流保護，甚至擊穿芯片影響系統(tǒng)的穩(wěn)定工作。
試驗結論：試驗中當把開關管換做具有不同CISS參數(shù)的MOSFET，隨著帶載能力增大具有較大CISS參數(shù)的開關管具有更出色的帶載能力。
試驗分析：實驗中負載功率增大，根據(jù)功率相關定理P=UI,在輸入電壓不變的情況下，增大電路電流I可以實現(xiàn)負載功率P的增大，增大電路電流意味著就要提高功率開關管的開關速度或者提高PWM信號的WIDTHDUTY，意味著將會增加開關節(jié)點的振蕩頻率且加重EMI干擾。通過試驗發(fā)現(xiàn)，CISS這項參數(shù)在改應用電路中在在重載條件下，對抑制振蕩頻率和降低EMI干擾有顯著的影響。
Cmos深耕于分離半導體器件的開發(fā)，目前分離半導體產(chǎn)品有MOSFET，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩(wěn)壓芯片，三極管和二極管等，以及我們具有強大的外貿(mào)儲備和外貿(mào)資源。
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