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CMF90R450Q功率MOSFET，是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（CMOS）先進的超級結(jié)技術(shù)，實現(xiàn)非常低的電阻和柵極電荷。

CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先進的超結(jié)技術(shù)，實現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，可以提供高效率。具有超結(jié)MOS的各種優(yōu)點，可以很容易快速地應(yīng)用到新的和現(xiàn)有的電源設(shè)計中。

CMF65R105使用Cmos先進的超級結(jié)技術(shù)，可以實現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)可以提供高的效率。

CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先進的超結(jié)技術(shù)，實現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，可以提供高效率。

MH50N50采用先進的高壓平面MOSFET工藝制造，能在AC-DC應(yīng)用中提供高水平的性能和魯棒性，抗沖擊能力強，易過EMC等測試?？梢钥焖賾?yīng)用到新的和現(xiàn)有的離線電源設(shè)計中，特別適用于舞臺燈光電源等電路。