第一屆泛摩爾產(chǎn)業(yè)高峰論壇在上海大學(xué)嘉定校區(qū)舉行。中國工程院院士、上海大學(xué)微電子學(xué)院學(xué)術(shù)委員會主任、浙江大學(xué)微納電子學(xué)院院長吳漢明，嘉定區(qū)委常委、副區(qū)長傅俊，工業(yè)和信息化部人才交流中心芯動力人才計(jì)劃辦公室主任王喆，上海微技術(shù)工業(yè)研究院總經(jīng)理丁輝文，新微創(chuàng)源孵化器董事長任佳，上海大學(xué)副校長汪小帆等領(lǐng)導(dǎo)和嘉賓出席論壇。
無論從科技還是經(jīng)濟(jì)的角度，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著無法替代的重大戰(zhàn)略意義，屬于國民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)性支撐產(chǎn)業(yè)。而在國務(wù)院發(fā)布的《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中，第三代半導(dǎo)體被列為國家面向2030年重大項(xiàng)目之一。
5月14日，國家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組第十八次會議在北京召開，會議專題討論了面向后摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)。摩爾定律一直被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“金科玉律“，然而隨著硅工藝的發(fā)展愈發(fā)趨近于其物理極限摩爾定律面臨巨大挑戰(zhàn)，后摩爾時代來臨，一批顛覆性技術(shù)也被提出，并不斷發(fā)展，IC產(chǎn)業(yè)面臨新的發(fā)展契機(jī)。中國應(yīng)如何借此次技術(shù)革新之機(jī)，大力發(fā)展顛覆性技術(shù)，加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，實(shí)現(xiàn)趕超？
第四代半導(dǎo)體材料開發(fā)及應(yīng)用項(xiàng)目：國內(nèi)首家、國際第二家專業(yè)從事第四代（超寬禁帶）半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司，致力于研發(fā)和生產(chǎn)基于新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的高質(zhì)量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測器件、高頻大功率器件。
由芯片供應(yīng)缺口所引發(fā)的產(chǎn)業(yè)漲價(jià)現(xiàn)象愈演愈烈，研究機(jī)構(gòu)Counterpoint公布預(yù)測指出，多個電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體需求旺，供需失衡的局面將持續(xù)，至2022年時芯片報(bào)價(jià)將再漲至少10%～20%。
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