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Cmos優(yōu)勢物料推選九:CMD170P03A

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Cmos優(yōu)勢物料推選九:CMD170P03A

>>CMD170P03A詳情頁

CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸(ChannelWidth/Channel Length),并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。典型的特點(diǎn)是,具有更小的寄生電容,更優(yōu)秀的開關(guān)響應(yīng)性,更低的導(dǎo)通內(nèi)阻RDSON等特性。無論是MOS管自身的轉(zhuǎn)換效率還是能耗都得到優(yōu)化,成為Cmos綠色發(fā)展的又一明星產(chǎn)品。


封裝形式

基礎(chǔ)參數(shù)



核心優(yōu)勢

CMD170P03A是一款擊穿電壓BVDSS=-30V,采用溝槽工藝制造的場效應(yīng)晶體管,在環(huán)境溫度為25℃條件下,流過MOS管的源漏電流高達(dá)-120A,具有卓越的功率輸送能力。提供TO-252、TO-251兩種封裝,封裝如圖所示。這兩種封裝背部加裝較大散熱片,具有優(yōu)秀的散熱能力,保證了晶體管在大電流高功率飽和導(dǎo)通工作條件下的熱管理能力。卓越的功率傳遞能力和優(yōu)秀的散熱設(shè)計(jì)使其在電機(jī)控制,電源DC-DC模塊及負(fù)載開關(guān)控制等應(yīng)用電路中被廣泛采用,表現(xiàn)可靠穩(wěn)定。


低優(yōu)值系數(shù):降低能耗,提升傳遞效率

優(yōu)值系數(shù)FOM=QG×RDSON,QG值反映了場效應(yīng)晶體管的開關(guān)動態(tài)特性,RDSON是MOS管導(dǎo)通后的靜態(tài)特性,F(xiàn)OM反映場效應(yīng)晶體管的動態(tài)特性和靜態(tài)能耗整體的轉(zhuǎn)換效率。作為高頻次開關(guān),場效應(yīng)晶體管自身電能損耗和開關(guān)響應(yīng)速度是體現(xiàn)其性能優(yōu)良的關(guān)鍵指標(biāo)參數(shù)。尤其是無源供電設(shè)備,低功耗和高轉(zhuǎn)換效率的元器件在應(yīng)用中更具有實(shí)際意義,能有效延長設(shè)備運(yùn)行時間。

場效應(yīng)晶體管在實(shí)際電路中與負(fù)載形成串聯(lián)應(yīng)用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在飽和導(dǎo)通之后,可以等效為一個串聯(lián)電阻,其等效電路圖如下圖所示,



MOS管自身的帶載能力與其內(nèi)阻和電流成正相關(guān)。由串并聯(lián)電路相關(guān)定理得到漏極和源極電流越大,內(nèi)阻越小場效應(yīng)晶體管帶載能力越強(qiáng)。分析上圖場效應(yīng)晶體管等效電路圖,MOS管在導(dǎo)通后,其回路是 VCC→RDSON→RL→GND。根據(jù)歐姆定律,串聯(lián)電路中的電阻分壓大小與電阻阻值大小成正比,電阻值越大電阻兩端壓降越大。電阻值越小,電阻兩端壓降越小,因?yàn)殡娮枧c負(fù)載等效為串聯(lián)結(jié)構(gòu),所以負(fù)載上分得的電壓就越高,進(jìn)而可以帶動更大功率的負(fù)載。 從場效應(yīng)晶體管元器件角度考慮,其內(nèi)阻越大,電路中消耗的功率越多,管子越容易發(fā)熱,并且壽命變短,甚至出現(xiàn)炸管現(xiàn)象;內(nèi)阻越小,負(fù)載產(chǎn)生的分壓越多,獲得的電能就越大,帶載能力則越強(qiáng)。所以,一般選用內(nèi)阻較低的MOS管。 如下表為CMD170P03A Product DataSheet



由DataSheet可得,CMD170P03A飽和導(dǎo)通內(nèi)阻RDSON不超過4.5MΩ,這種低阻值,無論是靜態(tài)待機(jī)狀態(tài)還是動態(tài)工作過程均有效降低了電路中電能損耗且在實(shí)際應(yīng)用中提高了電能的轉(zhuǎn)換效率,成為BMS,電機(jī)馬達(dá),燈控行業(yè)的優(yōu)秀物料之選。文末還需要提醒一點(diǎn),CMD170P03A是P溝道場效應(yīng)晶體管,P溝道因?yàn)槠涮攸c(diǎn)往往在電路中具有很強(qiáng)的驅(qū)動能力,不需要專門設(shè)計(jì)驅(qū)動電路,實(shí)現(xiàn)了應(yīng)用方案的輕量化設(shè)計(jì)。


Cmos半導(dǎo)體是優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè),擁有完備的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝,先進(jìn)的封測設(shè)備,有著豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品和不同型號。產(chǎn)品分布廣泛,性能可靠穩(wěn)定,有著較強(qiáng)的品牌影響力和市場份額。


Cmos產(chǎn)品有:MOS場效應(yīng)晶體管管,晶閘管,IGBT,三端穩(wěn)壓芯片,三極管,二極管等。


Cmos產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域如下表所示:

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