高魯棒性的理想選擇CMP107N20
高魯棒性的理想選擇CMP107N20
隨著集成電路和互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，低功耗、高性能已經(jīng)逐漸成為3C消費(fèi)類電子以及3C小家電主要追求的能效目標(biāo)。CMP107N20是采用Cmos自己優(yōu)化的成熟制造工藝生產(chǎn)的一款場效應(yīng)晶體管。特點(diǎn)是具有卓越FOM優(yōu)值系數(shù)，極低的飽和導(dǎo)通內(nèi)阻RDSon，超高的開關(guān)頻率使得CMP107N20在電機(jī)控制，電池管理，UPS不間斷電源供應(yīng)，逆變轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域具有更大的市場價(jià)值。
封裝形式
基本信息
CMP107N20是采用Cmos柵極多級(jí)分割優(yōu)化溝槽工藝研發(fā)的N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，設(shè)計(jì)理念追求高能效、綠色和可持續(xù)發(fā)展。
綠色設(shè)計(jì)理念
CMP107N20是一款N溝道場效應(yīng)晶體管，擊穿電壓BVDSS=200V，采用Cmos自己研發(fā)的優(yōu)化溝槽工藝制造。常溫條件下，源漏持續(xù)電流可達(dá)105A，具有卓越的能效比。CMP107N20提供了TO-220、TO-263、TO-262、TO-220F四種常規(guī)封裝，具有卓越的散熱能力,保障了在高功率輸出下的熱管理平衡能力。CMP107N20具有卓越的優(yōu)值系數(shù)FOM=QG×RDSON ，F(xiàn)OM綜合反映了場效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)換效率。高效的轉(zhuǎn)換效率，不僅提高了CMP107N20自身的應(yīng)用領(lǐng)域，而且符合綠色可持續(xù)發(fā)展的需要,還為其拓展了廣泛的應(yīng)用鄰域。
降本增效
Product Data Sheet
場效應(yīng)管以其超高頻次（frequence可達(dá)兆赫茲以上）的開關(guān)速度和極低的能耗，通信，工業(yè)控制，3C產(chǎn)品，電動(dòng)車和智能Ai泛領(lǐng)域得到大量應(yīng)用。能量損耗和開關(guān)響應(yīng)速度是保證其能效比的關(guān)鍵要素。CMP107N20在常溫環(huán)境下，飽和導(dǎo)通內(nèi)阻10毫歐，極低的飽和導(dǎo)通阻值，使其轉(zhuǎn)換效率明顯提高。在多串MBS，UPS，無人機(jī)中具有很高的應(yīng)用價(jià)值。
場效應(yīng)半導(dǎo)體是國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè)，具有豐富的晶體管開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，擁有核心的產(chǎn)品研發(fā)能力,相關(guān)專利申請達(dá)四十余項(xiàng)；具有完備的半導(dǎo)體后道工藝生產(chǎn)設(shè)備，目前已經(jīng)擁有包括二極管，三極管，IGBT 晶閘管在內(nèi)的產(chǎn)品超過1500余個(gè)型號(hào)。開發(fā)產(chǎn)品面向鄰域廣泛，使用性能安全穩(wěn)定，有較強(qiáng)的品牌影響力和市場份額。
Cmos晶體管產(chǎn)品有：MOS場效應(yīng)管，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩(wěn)壓芯片，各種三極管和二極管等。
Cmos產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域如下表所示：
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